IRF644S

Symbol Micros: TIRF644s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 280 mOhm; 14A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF644SPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF644S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
134 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,5716 2,1045 1,8359 1,6677 1,6070
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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