IRF6646TRPBF

Symbol Micros: TIRF6646
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DirectFET
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N-Channel-MOSFET-DirectFET-Transistor; 80V; 20V; 9,5 mOhm; 68A; 89W; -40°C~150°C; Äquivalent: IRF6646TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 68A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF6646TRPBF Gehäuse: DirectFET  
Externes Lager:
9600 stk.
Anzahl Stück 4800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8063
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Standard-Verpackung:
4800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 68A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-FET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: DIN

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