IRF6646TRPBF

Symbol Micros: TIRF6646
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DirectFET
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N-Channel-MOSFET-DirectFET-Transistor; 80V; 20V; 9,5 mOhm; 68A; 89W; -40°C~150°C; Äquivalent: IRF6646TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 68A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 68A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-FET
Montage: DIN

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