IRF710

Symbol Micros: TIRF710
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 3,6 Ohm; 2A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF710PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF710 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7942 0,4998 0,3901 0,3690 0,3457
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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