IRF710

Symbol Micros: TIRF710
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 3,6 Ohm; 2A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF710PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF710 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7926 0,4988 0,3893 0,3683 0,3450
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF710PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
395 stk.
Anzahl Stück 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,3450
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF710PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 25+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,3450
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT