IRF710
Symbol Micros:
TIRF710
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 3,6 Ohm; 2A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF710PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 36W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF710 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
60 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7964 | 0,5013 | 0,3912 | 0,3701 | 0,3467 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF710PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
225 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4078 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 36W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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