IRF7101 smd

Symbol Micros: TIRF7101

Gehäuse: SOP08

2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 150 mOhm; 3,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7101TRPBF; IRF7101PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7101 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6184	0,3918	0,3092	0,2809	0,2691

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	3,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD