IRF7101 smd

Symbol Micros: TIRF7101
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 150 mOhm; 3,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7101TRPBF; IRF7101PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7101 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6756 0,4286 0,3378 0,3075 0,2935
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD