IRF710SPBF

Symbol Micros: TIRF710s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DirectFET
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 3,6 Ohm; 2A; 3,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRF710SPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD