IRF720

Symbol Micros: TIRF720
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 3,3A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF720PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF720 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
390 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7228 0,4576 0,3614 0,3285 0,3145
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF720PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4210
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF720PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4300 stk.
Anzahl Stück 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3145
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT