IRF720

Symbol Micros: TIRF720
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 3,3A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF720PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF720 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
390 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7175 0,4543 0,3588 0,3261 0,3122
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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