IRF720
Symbol Micros:
TIRF720
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 3,3A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF720PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF720 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
370 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7214 | 0,4567 | 0,3607 | 0,3279 | 0,3139 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF720PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
725 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4543 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF720PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 1250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3139 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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