IRFI720G iso
Symbol Micros:
TIRF720 iso
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 2,6A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFI720G RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7984 | 0,5072 | 0,3992 | 0,3640 | 0,3476 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI720GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
875 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4488 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole