IRFI720G iso

Symbol Micros: TIRF720 iso
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Technische Zeichnung
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 2,6A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI720G RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8795 0,5582 0,4386 0,4010 0,3823
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT