IRF7201 smd

Symbol Micros: TIRF7201

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 50mOhm; 7,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	7,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	7,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD