IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Symbol Micros:
TIRF7201 c
Gehäuse: SOP08
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: import
Hersteller-Teilenummer: IRF7201TRPBF RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2829 | 0,1517 | 0,1180 | 0,1067 | 0,1032 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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