IRF7205 smd

Symbol Micros: TIRF7205
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 130 mOhm; 4,6A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STS4DPF30L; IRF7205PBF; IRF7205TRPBF; IRF7205PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7205TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
1193 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5696 0,3601 0,2848 0,2589 0,2471
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7205TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2471
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7205TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
4300 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2471
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD