IRF730
Symbol Micros:
TIRF730
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1Ohm; 5,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF730PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 74W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF730 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
177 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 10+ | 50+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9234 | 0,6125 | 0,5493 | 0,4722 | 0,4395 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
10350 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1083 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1125 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,5026 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3852 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4395 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 74W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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