IRF730

Symbol Micros: TIRF730
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1Ohm; 5,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF730PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF730 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
177 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 50+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9234 0,6125 0,5493 0,4722 0,4395
Standard-Verpackung:
50/400
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
10350 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1083
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1125 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5026
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3852 stk.
Anzahl Stück 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4395
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT