IRF7301TR
Symbol Micros:
TIRF7301TR VBS
Gehäuse: SOP08
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 3Ohm; 7,1A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7301TRPBF-VB;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 26mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 26mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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