IRF7301TR

Symbol Micros: TIRF7301TR VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 3Ohm; 7,1A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7301TRPBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 26mOhm
Max. Drainstrom: 7,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF7301TR-VB RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5124 0,3116 0,2377 0,2153 0,2049
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 26mOhm
Max. Drainstrom: 7,1A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD