IRF7309

Symbol Micros: TIRF7309

Gehäuse: SOP08

2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 80mOhm/160mOhm; 4A/3A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7309PBF; IRF7309TRPBF; IRF7309PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN/P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7309 RoHS Gehäuse: SOP08

Auf Lager:

15 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	95+	380+
Nettopreis (EUR)	1,0693	0,7097	0,5867	0,5299	0,5086

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7309TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

3800 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5086

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7309TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

44000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5086

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD