IRF7309

Symbol Micros: TIRF7309
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 80mOhm/160mOhm; 4A/3A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7309PBF; IRF7309TRPBF; IRF7309PBF-GURT;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7309 RoHS Gehäuse: SOP08  
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 95+ 380+
Nettopreis (EUR) 1,0556 0,7006 0,5792 0,5231 0,5021
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Standard-Verpackung:
95/380
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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