IRF7309

Symbol Micros: TIRF7309
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 80mOhm/160mOhm; 4A/3A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7309PBF; IRF7309TRPBF; IRF7309PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7309 RoHS Gehäuse: SOP08  
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 95+ 380+
Nettopreis (EUR) 1,0555 0,7006 0,5791 0,5231 0,5021
Standard-Verpackung:
95/380
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7309TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5021
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7309TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
2950 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5021
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD