IRF7313 smd

Symbol Micros: TIRF7313
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7313PBF; IRF7313TRPBF; IRF7313PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 46mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7313TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5575 0,3373 0,2600 0,2338 0,2225
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7313TRPBFXTMA1 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2225
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7313TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
6250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2956
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 46mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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