IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC

Symbol Micros: TIRF7316 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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TRANSISTOR; SOP8; 30V; 7.3A; Dual P-chanel; VBsemi VBA4338;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 58mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Max. Drainstrom: 4,8A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBSEMI ELEC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 20V
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: VBA4338 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3292 0,1820 0,1437 0,1305 0,1263
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 58mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Max. Drainstrom: 4,8A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBSEMI ELEC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 155°C
Montage: SMD

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