IRF7342TR
Symbol Micros:
TIRF7342
Gehäuse: SOP08
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 170 mOhm; 3,4A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7342TRPBF; IRF7342PBF; IRF7342PBF-GURT; IRF7342 smd; IRF 7342 TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 170mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7342TR RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
602 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6488 | 0,4113 | 0,3244 | 0,2962 | 0,2821 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7342TRPBF RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
1500 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6488 | 0,4113 | 0,3244 | 0,2962 | 0,2821 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7342TRPBF RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
8000 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6488 | 0,4113 | 0,3244 | 0,2962 | 0,2821 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7342TRPBF
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
292000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2821 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7342TRPBF
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
116000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2865 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7342TRPBF
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
8800 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3266 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 170mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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