IRF7351

Symbol Micros: TIRF7351

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 17,8 mOhm; 8A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7351PBF; IRF7351TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	17,8mOhm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7351TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

486 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	1,9901	1,5770	1,3423	1,2344	1,1710

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7351TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

19000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1710

Widerstand im offenen Kanal:	17,8mOhm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD