IRF7351

Symbol Micros: TIRF7351
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 17,8 mOhm; 8A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7351PBF; IRF7351TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17,8mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7351TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
486 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,9918 1,5784 1,3435 1,2355 1,1720
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 17,8mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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