IRF7389

Symbol Micros: TIRF7389

Gehäuse: SOP08

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7389PBF; IRF7389TRPBF; IRF7389PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	98mOhm
Max. Drainstrom:	7,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7389TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r

Auf Lager:

3280 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0465	0,6962	0,5756	0,5187	0,4982

Widerstand im offenen Kanal:	98mOhm
Max. Drainstrom:	7,3A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4527	0,2730	0,2104	0,1897	0,1806