IRFI740G

Symbol Micros: TIRF740 iso
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 5,4A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI740GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFI740G RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
29 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1095 0,7755 0,6190 0,5933 0,5839
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Standard-Verpackung:
50/150
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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