IRFI740G
Symbol Micros:
TIRF740 iso
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 5,4A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI740GPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFI740G RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
19 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0963 | 0,7662 | 0,6116 | 0,5862 | 0,5770 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI740GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5770 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI740GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
550 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8216 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI740GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
12980 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5770 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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