IRF740LC

Symbol Micros: TIRF740 lc
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Kanal MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Ersatz: IRF740LCPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF740LCPBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1503 0,8793 0,7267 0,6378 0,6059
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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