IRF7401TR 

Symbol Micros: TIRF7401 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 8,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF7401TRPBF-VB RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3680 0,2047 0,1617 0,1467 0,1420
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW4406AS RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 180+ 900+ 3600+
Nettopreis (EUR) 0,2116 0,0919 0,0584 0,0496 0,0470
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Standard-Verpackung:
20
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW4406AS RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 180+ 900+ 3600+
Nettopreis (EUR) 0,2116 0,0919 0,0584 0,0496 0,0470
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Standard-Verpackung:
180
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 8,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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