IRF7403 smd

Symbol Micros: TIRF7403

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; IRF7403TRPBF; TPIRF7403TRPBF; IRF7403TRPBF-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD