IRF740S
Symbol Micros:
TIRF740s
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740STRPBF; IRF740STRLPBF; IRF740STRRPBF; IRF740SPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF740S RoHS
Gehäuse: D2PAK
Auf Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2202 | 0,8544 | 0,6844 | 0,6632 | 0,6420 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740SPBF
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
575 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0186 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740SPBF
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7427 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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