IRF7468TR
Symbol Micros:
TIRF7468TR VBS
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,1 Ohm; 12A; 6W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRF7468TRPBF; IRF7468PBF; IRF7468TR-VB;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6W |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6W |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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