IRF7470
Symbol Micros:
TIRF7470
Gehäuse:
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 12V; 30mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; LTB: 31. JULI 2024; Äquivalent: IRF7470PBF; IRF7470PBF-GURT; IRF7470TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7470TRPBF
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
9499 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4208 |
Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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