IRF7470

Symbol Micros: TIRF7470
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 12V; 30mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; LTB: 31. JULI 2024; Äquivalent: IRF7470PBF; IRF7470PBF-GURT; IRF7470TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD