IRF7476

Symbol Micros: TIRF7476

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 12V; 30mOhm; 15A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Montage:	SMD