IRF7490PBF Infineon

Symbol Micros: TIRF7490
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-MOSFET 100V 5.4A 39mΩ 2.5W IRF7490TRPBF IRF7490 IRF7490TR
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 39mOhm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 39mOhm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD