TIRF7492

Symbol Micros: TIRF7492
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-MOSFET HEXFET 3.7A 200V 2.5W 0.079Ω IRF7492TRPBF IRF7492PBF
Parameter
Transistor-Typ: N-MOSFET
Drain-Widerstand (Rds on): 79 mOhm
Drainstrom: 3,7A
Leistung: 2,5W
Spannung [Uds]: 200V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Transistor-Typ: N-MOSFET
Drain-Widerstand (Rds on): 79 mOhm
Drainstrom: 3,7A
Leistung: 2,5W
Spannung [Uds]: 200V