IRF7493

Symbol Micros: TIRF7493
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 15mOhm; 9,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7493PBF; IRF7493TRPBF; IRF7493PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 9,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7493TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9370 0,6201 0,5115 0,4617 0,4459
Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 9,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD