IRF7493

Symbol Micros: TIRF7493
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 15mOhm; 9,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7493PBF; IRF7493TRPBF; IRF7493PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 9,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7493TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
250 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9787 0,6477 0,5343 0,4823 0,4657
Standard-Verpackung:
300
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7493TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
116000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4657
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 9,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD