IRF7501

Symbol Micros: TIRF7501
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Micro DIP
Trans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro IRF7501TRPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: Micro8
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: Micro8
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD