IRF7580MTRPBF

Symbol Micros: TIRF7580m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DirectFET
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 114A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 114A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C