IRF7601

Symbol Micros: TIRF7601
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: MSOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 5,7A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7601PBF; IRF7601TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: MSOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7601TR RoHS Gehäuse: MSOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4299 0,2358 0,1858 0,1722 0,1650
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: MSOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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