IRF7749L1 Infineon
Symbol Micros:
TIRF7749L1
Gehäuse: DirectFET
N-MOSFET 60V 1.5m? 33A 3.3W IRF7749L1TRPBF
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,3W |
| Gehäuse: | DirectFET |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7749L1TRPBF
Gehäuse: DirectFET
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0815 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7749L1TRPBF
Gehäuse: DirectFET
Externes Lager:
28000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1952 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,3W |
| Gehäuse: | DirectFET |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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