IRF7749L1 Infineon

Symbol Micros: TIRF7749L1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DirectFET
N-MOSFET 60V 1.5m? 33A 3.3W IRF7749L1TRPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,5mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD