IRF7749L1 Infineon

Symbol Micros: TIRF7749L1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DirectFET
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N-MOSFET 60V 1.5m? 33A 3.3W IRF7749L1TRPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7749L1TRPBF Gehäuse: DirectFET  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,0810
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,5mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: DirectFET
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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