IRF7811AVTR

Symbol Micros: TIRF7811AVTR VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12A; 3,6 Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Ersatz: IRF7811AVTRPBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF7811AVTR-VB RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6735 0,4224 0,3520 0,3121 0,2933
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF7811AVTR-VB RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6735 0,4224 0,3520 0,3121 0,2933
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Standard-Verpackung:
400
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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