IRF7820

Symbol Micros: TIRF7820

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	78mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7820TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1663	0,8559	0,6866	0,5879	0,5549

Widerstand im offenen Kanal:	78mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD