IRF7821

Symbol Micros: TIRF7821

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12,5 mOhm; 13,6A; 2,5 W; -55 °C ~ 155 °C; Äquivalent: IRF7821PBF; IRF7821TRPBF; IRF7821PBF-GURT;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12,5mOhm
Max. Drainstrom:	13,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	12,5mOhm
Max. Drainstrom:	13,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 155°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD