IRF7832 smd

Symbol Micros: TIRF7832
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,8 mOhm; 20A; 2,5 W; -55 °C ~ 155 °C; Äquivalent: IRF7832TRPBF; IRF7832PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,8mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7832TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9753 0,7163 0,5740 0,4923 0,4643
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,8mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 155°C
Montage: SMD

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