IRF7853
Symbol Micros:
TIRF7853
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7853PBF; IRF7853TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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