IRF7853

Symbol Micros: TIRF7853
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7853PBF; IRF7853TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 8,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7853TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
260 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1235 0,7451 0,5956 0,5442 0,5349
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7853TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1235 0,7451 0,5956 0,5442 0,5349
Standard-Verpackung:
400
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 8,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD