IRF7855

Symbol Micros: TIRF7855

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,4 mOhm; 12A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7855PBF; IRF7855TRPBF; IRF7855PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,4mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7855TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

9700 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5807

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7855TRPBF Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

20000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4182

Widerstand im offenen Kanal:	9,4mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD