IRF7862

Symbol Micros: TIRF7862

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,5 mOhm; 21A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7862TRPBF; IRF7862PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	21A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	21A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD