IRF8010
Symbol Micros:
TIRF8010
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 260 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF8010PBF; IRF8010LPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 260W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF8010 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
137 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 47+ | 188+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0308 | 1,6633 | 1,4489 | 1,3193 | 1,2698 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF8010PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2698 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF8010PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
15318 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2698 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 260W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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