IRF8010

Symbol Micros: TIRF8010

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 260 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF8010PBF; IRF8010LPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	260W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF8010 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

82 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	47+	188+
Nettopreis (EUR)	1,9638	1,6084	1,4011	1,2758	1,2279

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8010PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

430 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,2279

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	260W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT