IRF8010

Symbol Micros: TIRF8010
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 260 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF8010PBF; IRF8010LPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 260W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF8010 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
132 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 47+ 188+
Nettopreis (EUR) 2,0236 1,6574 1,4438 1,3146 1,2653
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 260W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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