IRF8010

Name: TIRF8010 TIRF8010
Brand: Infineon
SKU: TIRF8010
Price: 1.2793 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF8010

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 260 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF8010PBF; IRF8010LPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	260W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF8010 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

132 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	47+	188+
Nettopreis (EUR)	2,0460	1,6757	1,4597	1,3292	1,2793

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8010PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1150 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2793

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8010PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

62036 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2793

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8010PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

660 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2793

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	260W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT