IRF8010S
Symbol Micros:
TIRF8010s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 260 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF8010SPBF; IRF8010STRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 260W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF8010STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2400 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8282 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF8010STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
21600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8721 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 260W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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