IRF820

Symbol Micros: TIRF820
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF820PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF820 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
570 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 650+
Nettopreis (EUR) 0,7894 0,4982 0,3913 0,3572 0,3435
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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