IRF820 TO220 LGE

Symbol Micros: TIRF820 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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