IRF820AS
Symbol Micros:
TIRF820as
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 2.5A 500V 50W 3Ω IRF820ASTRPBF IRF820ASPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRF820ASPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4021 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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