IRF8313

Symbol Micros: TIRF8313
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 21,6 mOhm; 9,7A; 2W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF8313PBF; IRF8313TRPBF; IRF8313PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 21,6mOhm
Max. Drainstrom: 9,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8313TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
3463 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8337 0,5278 0,4157 0,3783 0,3620
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF8313TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
3450 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3620
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 21,6mOhm
Max. Drainstrom: 9,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD