IRF840APBF VISHAY

Symbol Micros: TIRF840a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO-220AB
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Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840APBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF RoHS Gehäuse: TO-220AB  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4645 1,0254 0,8198 0,7965 0,7708
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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