IRF840APBF VISHAY
Symbol Micros:
TIRF840a
Gehäuse: TO-220AB
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840APBF
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO-220AB |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF RoHS
Gehäuse: TO-220AB
Auf Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4175 | 0,9925 | 0,7935 | 0,7709 | 0,7460 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF
Gehäuse: TO-220AB
Externes Lager:
350 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7460 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF
Gehäuse: TO-220AB
Externes Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8401 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840APBF
Gehäuse: TO-220AB
Externes Lager:
11539 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7460 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO-220AB |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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