IRF840SPBF
Symbol Micros:
TIRF840s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 8A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF840SPBF; IRF840STRRPBF; IRF840STRLPBF; IRF840S;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840S RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
250 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 250+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2284 | 0,8571 | 0,7265 | 0,6830 | 0,6463 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840SPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
250 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6463 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840SPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
4442 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6463 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF840SPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2854 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2896 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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