IRF8910TRPBF

Symbol Micros: TIRF8910

Gehäuse: SOP08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 18,3 mOhm; 10A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF8910PBF; IRF8910TRPBF; IRF8910PBF-GURT; IRF8910;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	18,3mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF8910TR RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

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100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8912	0,5596	0,4656	0,4139	0,3880

Widerstand im offenen Kanal:	18,3mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD