IRF9333

Symbol Micros: TIRF9333
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 32,5 mOhm; 9,2A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: MTD13P03Q8; IRF9333TRPBF; IRF9333PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32,5mOhm
Max. Drainstrom: 9,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 32,5mOhm
Max. Drainstrom: 9,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD